Компания IBM представила первые начинания микросхемы 7нм

Дмитрий Вегас

10 июля 2015

Новости
чипы

Компания IBM в партнерстве с компаниями GlobalFoundries, Samsung и Государственного Университета штата Нью-Йорк, были в состоянии производить первые в мире 7нм чипы за счет применения новых материалов и новых производственных технологий.

Для начала, компании IBM 7нм чипы используют технологию FinFET транзистора дизайн, который отличается от существующих FinFET в том, что канал транзистора выполнен из кремний-германиевого сплава, а не обычный кремний. Это объясняется тем, что кремний сам по себе имеет проблемы с подвижностью электронов ниже 10 нм, что ограничивает прохождение тока, и сдерживает производительность. Чтобы решить ряд вопросов, было принято решение добавлять германий.

Чипы 7нм были произведены с использованием экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ) литографии, которая вырезает объекты, используя базовые волны 13.5 нм, существенно меньше, чем фторида аргона (Арф) лазеров, что, в 193 нм, используются для текущего 14-нм литографии. Хотя ЭУФ литографии оказалось труднее развернуть в коммерческом пространстве, это гораздо лучший вариант, чем ОПН для получения суб-10 нм чипы без необходимости, так как сложные оптические системы.

Компания IBM уже успела упаковать транзисторы невероятно плотно на их 7нм фишки, достижения транзистора высота всего 30нм. Это приводит к уменьшению площади поверхности примерно на 50 процентов по сравнению с передним краем 10 нм чипов, которые IBM считает, что в результате улучшения параметров производительности и энергопотребления как минимум на 50 процентов.

Есть еще некоторые трудности, прежде чем 7нм фишки можно было массово производить, поэтому технология не должна приходить до 2017 или 2018. Однако, если IBM может использовать их исследования в 7нм разработать коммерчески жизнеспособное производство процесса, то они могут просто быть в состоянии разбить традиционный процесс в узле «Intel», который в настоящее время работает на массовое производство на 10 нм, для рынка.