Intel и Micron объявляет 3D Xpoint новую технологию памяти

Дмитрий Вегас

3 августа 2015

Новости
3d xpoint

Корпорация Intel и Micron недавно провели объединённую пресс-конференцию, чтобы объявить о прорыве памяти, под названием 3D Xpoint , что в 1000 раз быстрее, чем сегодняшние NAND-памяти, в 1000 раз лучше выносливость и в 10 раз компактнее, чем обычная память.

3D Xpoint описывается как более новый класс памяти – не просто новый тип NAND-память, или DRAM, которая работает принципиально иначе, чем то, что доступно сегодня. Как подсказывает название, она построена на трехмерной архитектуре, которая использует новый тип переключателя вместо традиционных транзисторов.

3D Xpoint тоже энергонезависимый, это значит, что он может быть использован для целей хранения, а также функционируют как традиционная память.

Компании отметили, что это реальные технологии, а не только презентации PowerPoint.

Корпорация Intel и Micron заявили, что они будут рассылать образцы в конце этого года, прежде чем продукты с помощью 3D Xpoint прибудут в 2016 году. Если бы мне пришлось угадывать, то это будет в огромных компаниях с данными потребностями, такие как Amazon, Facebook или Microsoft, которые изначально поставили технологии для использования в реальном мире.

Что касается потребительских продуктов на основе тех, вероятно, пойдут дальше вниз. На стороне ПК, в новое хранилище-единомышленников интерфейса, который способен обрабатывать такую скорость, что 3D Xpoint сможет доставить, он будет носить обязательный характер, поскольку SATA III интерфейса является уже узким местом с существующими SSD-накопителей.

Эта технология может также найти дом в мобильных устройствах, хотя если это более энергоемкие, чем в NAND-памяти, что может быть помехой. Вполне возможно, что новый тип аккумулятора технологии может нейтрализовать этот недостаток, но я бы не надеялся на это в ближайшее время.