Флеш-память могут заменить на терабайтный резистивный накопитель

Админ

18 августа 2013

Техника

Ученые из университета в Калифорнии разработали новые накопители для мобильной электроники, которая должна найти свое применение в смартфонах, планшетных компьютерах и цифровых камерах. В основе новой технологии лежит резистивная память, которая позволяет создавать ячейки памяти очень маленького размера. Ее работа происходит на высокой скорости и позволяет создавать хранилища памяти гораздо большего объема, по сравнению с флеш-технологией, являющейся в настоящее время промышленным стандартом. Обычным для резистивной памяти является накопитель емкостью в несколько терабайтов, а не гигабайтов, как мы сегодня привыкли.

Ключевой момент новой технологии – разработка нано-«островов» из оксида цинка, которые размещены на кремниевой основе. Это позволит устранить второй элемент – устройство-переключатель, которым часто является диод.

Один из авторов этой разработки, профессор Джанлин Лиу отметил, что она является серьезным шагом в направлении распространения резистивной памяти в цифровой индустрии в качестве замены флеш-памяти. На самом деле, новая технология позволит упростить процесс и сократить производственные затраты.

Уже не одно десятилетие флеш-память сохраняет роль определенного стандарта в индустрии электроники, но ей пора бы уже стать более емкой и уменьшится в размерах. А резистивная память характеризуется металл-оксид-металлической структурой. Ученые продемонстрировали альтернативу, которая была сформирована из «нано-островков», сформированных из оксида цинка.

Adblock
detector