SK Hynix приступила к строительству полупроводникового завода будущего

Админ

20 декабря 2018

Новости

В среду 19 декабря компания SK Hynix провела церемонию закладки нового полупроводникового завода вблизи города Ичхон. О запланированном строительстве компания сообщила ещё в июле. Предприятие получит название M16 и будет введено в строй в октябре 2020 года. Это третий крупномасштабный проект SK Hynix за последние три года. В 2015 году компания объявила о планах построить несколько новых заводов для обеспечения своего будущего процветания.

SK Hynix приступила к строительству полупроводникового завода будущего

Проект «Future Vision Investment Plan» предусматривает финансирование в объёме $40 млрд. В рамках проекта построены заводы M14 в Ичхоне по выпуску DRAM и NAND и M15 по выпуску NAND в городе Чхонджу. Дополнительно компания вложилась в расширение контрактного производства чипов в Уси (КНР) и там же начала расширять чистую комнату на заводе C2 по выпуску DRAM. Кроме этого буквально на днях стало известно, что SK Hynix вовлечена в государственно-коммерческий проект по созданию современного производственного полупроводникового суперкластера из четырёх заводов, в который она до 2028 года планирует вложить $106 млрд.

SK Hynix приступила к строительству полупроводникового завода будущего

В предприятие M16, строительство которого стартовало 19 декабря, планируется вложить около 15 трлн вон ($13,3 млрд). Площадь завода будет достигать 53 000 м2, а чистая комната будет больше, чем обычно. Это означает, и компания сегодня это подтвердила, что на предприятии M16 будут установлены литографические сканеры диапазона EUV. По словам руководства SK Hynix, завод M16 станет прыжком в новое десятилетие.

SK Hynix приступила к строительству полупроводникового завода будущего

Предварительно решено, что завод M16 будут выпускать память. Пока не уточняется, будет ли это DRAM или NAND, что, в общем-то, неважно. Линии легко перестроить с выпуска одной продукции на другую и обратно. Завод M16 станет жемчужиной в короне заводов SK Hynix M10 (DRAM), M14 (DRAM, NAND), M11, M12, M15 (NAND) и C2 (DRAM, КНР).


Источник

Adblock
detector